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鉬鉭靶材
產(chǎn)品分類(lèi):
產(chǎn)品介紹
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高性能鎢基靶材
產(chǎn)品特性:
1.高密度與組織均勻性:我們生產(chǎn)的鎢合金靶材具備極高的密度和組織均勻性,確保濺射過(guò)程中獲得的薄膜質(zhì)量卓越。2. 低電阻與高耐熱性:濺射所得的鎢薄膜展現(xiàn)出低電阻和高耐熱等特性,適用于對(duì)材料性能要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 定制形狀與高純度:提供鎢、鎢鈦(WTi)、鎢硅等多種靶材,形狀可根據(jù)客戶(hù)需求定制,純度可達(dá)鎢(5N)、鎢鈦(4N5)、鎢硅(4N5)級(jí)別。
應(yīng)用領(lǐng)域:
1.半導(dǎo)體及電子技術(shù):鎢薄膜在半導(dǎo)體工業(yè)中用作柵電極或布線材料,滿足集成度、可靠性、功能特性和處理速度等日益增長(zhǎng)的需求。鎢硅靶材則應(yīng)用于存儲(chǔ)器(如DRAM)中,作為有效的柵極歐姆接觸層。
2.電光源:鎢合金靶材在電光源領(lǐng)域同樣具有廣泛應(yīng)用,為照明設(shè)備提供關(guān)鍵材料支持。
3.汽車(chē)工業(yè)與航空航天:在高端制造領(lǐng)域,鎢基靶材因其優(yōu)異的性能而備受青睞,為汽車(chē)工業(yè)和航空航天領(lǐng)域的創(chuàng)新提供有力支撐。
特定應(yīng)用亮點(diǎn):
1.鎢鈦(WTi)薄膜:作為Al和Si之間的有效擴(kuò)散阻擋層,主要通過(guò)物理氣相沉積(PVD)技術(shù),利用磁控濺射WTi合金靶材獲得。高純度和高密度的WTi合金靶材,滿足復(fù)雜集成電路擴(kuò)散阻擋層可靠性的要求。
2.鎢硅靶材:在半導(dǎo)體領(lǐng)域,特別是在存儲(chǔ)器制造中,鎢硅靶材通過(guò)PVD技術(shù)制備的鎢硅薄膜,充當(dāng)關(guān)鍵的柵極歐姆接觸層,對(duì)薄膜性能產(chǎn)生至關(guān)重要的影響。
產(chǎn)品形態(tài)與純度:
1.形態(tài):提供多種形態(tài)的鎢、鎢鈦、鎢硅靶材,形狀可根據(jù)具體需求進(jìn)行定制。
2.純度:確保鎢合金靶材的高純度,滿足不同行業(yè)和應(yīng)用對(duì)材料純凈度的嚴(yán)格要求。
產(chǎn)品留言

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